2012-2017:中科院微电子研究所 副研究员 2017至今:中科院微电子研究所 研究员 研究方向: 高性能GaN基电力电子和射频微波器件; Si基GaN智能功率集成电路; III族氮化物半导体电子器件的先进制备工艺,表征技术及器件物理...
中国科学院微电子研究所
、 SiC 基功率电子器件及功率集成电路技术的研究。在 IEDM、 IEEE EDL 等著名国际会议/期刊发表学术论文 140 余篇,其中一作/通讯作者论文 40 余篇,总引用 2000 余次, H 因子为 28。...
北京大学研究员
研发总监 研发总监硕士,毕业于长春理工大学高功率半导体激光器国防重点实验室,2023年加入无锡中镭光电科技有限公司。具有多年的半导体激光器、半导体材料、光纤激光器的开发、生产管理经验。目前担任无锡中镭光电研发部经理,负责2um波段光纤激光器的研制,及相关应用的探索。...
无锡中镭光电科技有限公司 研发总监
副教授副教授赵胜雷,博士,副教授,华山学者菁英人才。主要从事研究氮化物功率器件与应用研究,面向国家重大需求,深入探索器件工作机理,提出多种新型结构,大幅提升器件性能。主持和参与国家科技重大专项、国家自然科学基金等项目10余项,发表SCI论文70余篇,申请与授权发明专利30余项,获得中国电子学会技术发明一等奖。...
西安电子科技大学副教授
成果,例如,设计并研制了(1)界面熵诱导的热泳光镊技术,将光镊操控的激光功率降低2-3个量级,实现了生物细胞的低功率、无损伤、高精度光学操控;(2)热电纳米光镊技术,提出“光-热-电-力”多场耦合的光镊模型,实现了多种材料的高精度(...
清华大学
教授教授黄火林,大连理工大学教授/博导&省第三代半导体技术创新中心副主任,在国内外长期从事第三代氮化镓材料半导体功率器件研发工作。2014年从新加坡国立大学回国后加入大连理工大学,建立第三代半导体电子器件实验室;已在IEEE...
大连理工大学 教授
SCI论文18篇,其中以第一作者发表JCR一区论文7篇,包括 Sensors and Actuators B: Chemical 和 IEEE Electron Device Letters 等传感器和电子器件领域著名期刊。主要研究方向为氮化镓材料与器件,特别是功率器件、界面处理技术、介质构筑技术等;基于HEMT器件的生理信号传感研究。...
大连理工大学助理教授)
Semiconductor Today等网站多次转载报道。创新成果:韩根全教授回国后主要从事后摩尔新型微电子器件、芯片和Ga2O3功率器件研究。2019年创新发现不定型类铁电栅介质材料并实现非易失晶体管器件,有望颠覆德国人发现的多晶掺杂HfO2基铁电...
西安电子科技大学杭州研究院
。研究方向为功率器件(IGBT、SiC MOSFET和GaN器件)封装、可靠性和失效机理研究,如可靠性测试方法、测试技术、失效分析以及寿命状态监测等。...
合肥工业大学教授
并留校,2015-2016年英国南安普顿大学访问学者。 研究方向为高电压与绝缘技术、脉冲功率技术。研究内容为高功率储能电容及其介质系统,超高密度绝缘优化方法,绝缘老化及其检测,过电压与绝缘配合。 教学方面,主讲《高电压与绝缘技术》和...
华中科技大学
关于批准发布《电动自行车用锂离子蓄电池安全技术规范》强制性国家标准的公告
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2023年度药品审评报告
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